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蒸发硫量对退火前驱膜制备CdS薄膜性能的影响

张永博 张仁刚 王团团 张鹏 曹兴忠

电子元件与材料2025,Vol.44Issue(11):P.1309-1315,7.
电子元件与材料2025,Vol.44Issue(11):P.1309-1315,7.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2025.0193

蒸发硫量对退火前驱膜制备CdS薄膜性能的影响

张永博 1张仁刚 1王团团 1张鹏 2曹兴忠2

作者信息

  • 1. 武汉科技大学理学院,湖北武汉430081
  • 2. 中国科学院高能物理研究所,北京100049
  • 折叠

摘要

关键词

CdS薄膜/磁控溅射/前驱膜/退火/光学性能

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

张永博,张仁刚,王团团,张鹏,曹兴忠..蒸发硫量对退火前驱膜制备CdS薄膜性能的影响[J].电子元件与材料,2025,44(11):P.1309-1315,7.

基金项目

国家自然科学基金(11975173)。 (11975173)

电子元件与材料

OA北大核心

1001-2028

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