电子与封装2026，Vol.26Issue(2)：P.71-86,16.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0029
功率电子器件结构发展概述
摘要
关键词
宽禁带半导体器件/功率电子器件/金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)/绝缘栅双极型晶体管(IGBT)/高电子迁移率晶体管(HEMT)分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
张家驹,闫闯,刘俐,刘国友,周洋,刘胜,陈志文..功率电子器件结构发展概述[J].电子与封装,2026,26(2):P.71-86,16.基金项目
国家自然科学基金(62274122) （62274122）
湖北省杰出青年自然科学基金(2024AFA064) （2024AFA064）
中央高校基本科研业务费专项资金(413100037) （413100037）
湖北省“楚天英才计划”科技创新团队项目。 （）
