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基于脉冲反向电镀与添加剂协同调控的高深宽比玻璃通孔填孔工艺研究

谷玉坤 柳运游 施齐利 杨静璇 陈文毅 洪华 张中 张国栋 史泰龙

电子与封装2026,Vol.26Issue(7):P.31-40,10.
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电子与封装2026,Vol.26Issue(7):P.31-40,10.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0127

基于脉冲反向电镀与添加剂协同调控的高深宽比玻璃通孔填孔工艺研究

谷玉坤 1柳运游 2施齐利 2杨静璇 1陈文毅 1洪华 1张中 3张国栋 3史泰龙1

作者信息

  • 1. 东南大学集成电路学院,南京211189
  • 2. 上海天承化学有限公司,上海201500
  • 3. 江苏芯德半导体科技股份有限公司,南京211800
  • 折叠

摘要

关键词

先进封装/铜填充/高深宽比通孔/脉冲反向电镀/玻璃通孔

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

谷玉坤,柳运游,施齐利,杨静璇,陈文毅,洪华,张中,张国栋,史泰龙..基于脉冲反向电镀与添加剂协同调控的高深宽比玻璃通孔填孔工艺研究[J].电子与封装,2026,26(7):P.31-40,10.

基金项目

国家自然科学基金青年项目(62404041) (62404041)

江苏省自然科学基金青年项目(BK20230830)。 (BK20230830)

电子与封装

1681-1070

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