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一种负载解耦与结温自适应的SiC MOSFET电流源栅极驱动方法

杨铠泽乐应波曹爱萍曾俊冬崔昊杨

电子元件与材料2026，Vol.45Issue(7)：P.817-827,11.

电子元件与材料2026，Vol.45Issue(7)：P.817-827,11.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2026.0006

杨铠泽 ¹乐应波 ¹曹爱萍 ¹曾俊冬 ¹崔昊杨¹

作者信息

SiC MOSFET/电流源栅极驱动/自适应栅极驱动/开关瞬态建模/双脉冲仿真

信息技术与安全科学

杨铠泽,乐应波,曹爱萍,曾俊冬,崔昊杨..一种负载解耦与结温自适应的SiC MOSFET电流源栅极驱动方法[J].电子元件与材料,2026,45(7):P.817-827,11.

上海市自然科学基金资助项目(23ZR1424400)。（23ZR1424400）

ISSN：1001-2028

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