|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|电子元件与材料|一种高电源抑制的全CMOS带隙基准

一种高电源抑制的全CMOS带隙基准

付佳乐 邓红辉 朋凯 刘昊 尹勇生

电子元件与材料2026，Vol.45Issue(7)：P.810-816,7.
✕
电子元件与材料2026，Vol.45Issue(7)：P.810-816,7.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2026.0022

一种高电源抑制的全CMOS带隙基准

付佳乐 1邓红辉 2朋凯 1刘昊 1尹勇生2

作者信息

  • 1. 合肥工业大学微电子设计研究所,安徽合肥230601
  • 2. 合肥工业大学微电子设计研究所,安徽合肥230601 合肥工业大学教育部IC设计网上合作研究中心,安徽合肥230601
  • 折叠

摘要

关键词

高电源抑制/环路反馈/温漂系数/亚阈值区

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

付佳乐,邓红辉,朋凯,刘昊,尹勇生..一种高电源抑制的全CMOS带隙基准[J].电子元件与材料,2026,45(7):P.810-816,7.

基金项目

企业合作研发项目(W2023JSKF0003)。 （W2023JSKF0003）

电子元件与材料

1001-2028

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文