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GaN宽带大功率放大器应用可靠性研究

戈硕 张茗川 施尚 邵国键 成爱强

电子与封装2026,Vol.26Issue(8):P.109-115,7.
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电子与封装2026,Vol.26Issue(8):P.109-115,7.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0121

GaN宽带大功率放大器应用可靠性研究

戈硕 1张茗川 1施尚 1邵国键 1成爱强1

作者信息

  • 1. 中国电子科技集团公司第五十五研究所,南京210016
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摘要

关键词

GaN/宽带/高结温/射频过激励/输出失配/可靠性

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

戈硕,张茗川,施尚,邵国键,成爱强..GaN宽带大功率放大器应用可靠性研究[J].电子与封装,2026,26(8):P.109-115,7.

基金项目

江苏省重点研发计划(BE2022070-2)。 (BE2022070-2)

电子与封装

1681-1070

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