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CVI-PIP工艺制备C/SiC复合材料及其显微结构研究CSTPCD
作者：张玉娣张长瑞
发表期刊：材料科学与工程学报 2004年5期
关键词：化学气相渗透先驱体浸渍裂解C/SiC复合材料显微结构
摘要：采用化学气相渗透(CVI)与先驱体浸渍裂解(PIP)两种工艺方法联用制备C/SiC陶瓷基复合材料,通过与单纯PIP工艺的致密化效率比较,复合材料的扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)分析,结果表明:采用CVI-PIP联用的方法制备C/SiC复合材料,致密化程度有明显的提高.CVI沉积SiC基体结晶性较好,为典型的β-SiC晶体结构;而PIP先驱体聚碳硅烷裂解基体为无定型结构,基体结构差异是决定材料结构与性能的关键因素.
Cf/SiC陶瓷基复合材料的发展与应用现状北大核心CSCD
作者：张玉娣周新贵张长瑞
发表期刊：材料工程 2005年4期
关键词：陶瓷基复合材料Cf/SiC工艺应用
摘要：介绍了Cf/SiC复合材料的制备工艺,分析了各种制备工艺的优、缺点.描述了Cf/SiC复合材料近年来在航空涡轮发动机、热保护系统、光学结构及光学反射镜以及刹车片系统等领域的应用发展状况.对当前Cf/SiC复合材料研究存在的问题进行了分析,指出提高Cf/SiC陶瓷基复合材料抗氧化性仍是未来发展的一个重要研究方向.
准陶瓷Cf/SiC复合材料的制备北大核心CSCDCSTPCD
作者：周长城张长瑞胡海峰张玉娣王志毅
发表期刊：国防科技大学学报 2008年2期
关键词：PCSCf/SiC复合材料先驱体浸渍裂解准陶瓷
摘要：采用热重-差热(TG-DTA)、红外(IR)等分析测试手段,研究了聚碳硅烷(PCS)的裂解及化学转化过程,从理论上验证了先驱体聚碳硅烷(PCS)600℃裂解产物的准陶瓷特性.先驱体聚碳硅烷在600℃呈现一种半有机、半无机状态,其产物具有准陶瓷的特征,在大约750℃出现无机化转变高峰,固称其为准陶瓷.以碳布、准三维编织体、三维编织体为增强体,采用先驱体浸渍裂解(PIP)工艺在600℃制备了碳纤维增强碳化硅(Cf/SiC)准陶瓷基复合材料…查看全部>>
SiC基反射镜制备工艺研究进展北大核心CSCD
作者：张玉娣张长瑞周新贵曹英斌
发表期刊：硅酸盐通报 2005年1期
关键词：碳化硅 C/SiC复合材料反射镜制备工艺
摘要：空间系统用的高性能轻质反射镜的研究和应用正逐年稳定发展,本文从几种卫星反射镜材料的性能和特性出发,得出SiC及其复合材料作为反射镜材料性能最佳的结论;通过比较各种工艺制备SiC基反射镜性能,结果显示:只有CVD SiC能够作为反射镜反射光学表面.本文重点详细介绍了SiC及其复合材料反射镜制备工艺及方法特点,并对其工艺发展前景进行了展望.
C/SiC复合材料的低温制备工艺研究北大核心CSCDCSTPCD
作者：周长城张长瑞胡海峰张玉娣
发表期刊：材料工程 2012年9期
关键词：PCSC/SiC复合材料先驱体浸渍裂解低温制备
摘要：陶瓷基复合材料制备温度过高一直是制约其引入主动冷却工艺、突破其本征使用温度的主要原因之一.采用差热(TG-DTA)、红外(IR)、X射线衍射(XRD)等分析测试手段,研究了聚碳硅烷(Polycarbosilane,PCS)的裂解及化学转化过程,从理论上说明了先驱体聚碳硅烷(PCS)低温(＜1000℃)陶瓷化的可行性.结果表明:聚碳硅烷在750℃实现无机化,880℃开始结晶,即聚碳硅烷在高温合金耐受温度范围(＜1000℃)内,即可实现陶…查看全部>>
难熔金属化合物掺杂对先驱体转化2D C/SiC复合材料抗氧化性能影响北大核心CSCDCSTPCD
作者：王其坤陈朝辉胡海峰张玉娣
发表期刊：航空材料学报 2008年5期
关键词：先驱体转化C/SiC难熔金属化合物抗氧化性能
摘要：提出在2D C/SiC复合材料基体中掺杂难熔金属化合物ZrB2,TaC,ZrC,制备了2D C/SiC-ZrB2,2D C/SiC-ZrC和2D C/SiC-TaC新型复合材料,考察了难熔金属化合物的引入对材料力学性能、抗氧化性能和微观结构的影响.结果表明,ZrB2和TaC的引入,能明显提高2DC/SiC复合材料的抗氧化性能;ZrC的引入对2D C/SiC复合材料的抗氧化性能极其不利.这归结于高温下ZrB2和TaC有助于在复合材料表层…查看全部>>
反应法制备硼化锆耐超高温涂层北大核心CSCDCSTPCD
作者：赵丹张长瑞张玉娣陈思安胡海峰
发表期刊：无机材料学报 2011年9期
关键词：硼化锆超高温涂层抗烧蚀C/SiC
摘要：为了提高C/SiC复合材料的超高温抗烧蚀性能,以锆粉、硼粉和酚醛树脂为原料,通过泥浆涂刷后高温烧结的方法在C/SiC表面制备了ZrB2涂层,研究了涂层的烧结反应过程,并对其组成、结构和抗烧蚀性能进行了表征.结果表明:1200℃前Zr先与碳反应生成ZrC,然后在1400～1600℃时ZrC与B反应生成ZrB2.浆料配比为n(Zr)∶n(B)∶n(C)=1.0∶1.5∶1.0时,1600℃制备的涂层由ZrB2、少量的ZrC及ZrO2组成.…查看全部>>
3维C/SiC-ZrC复合材料的制备及其性能研究北大核心CSCDCSTPCD
作者：赵丹张长瑞胡海峰张玉娣
发表期刊：国防科技大学学报 2011年6期
关键词：C/SiC-ZrC复合材料力学性能抗氧化抗烧蚀
摘要：针对超高温环境应用需求,采用化学气相渗透工艺(CVI)与先驱体浸渍-裂解工艺(PIP)联用制备了3维碳纤维增强SiC-ZrC基复合材料(C/SiC-zrC),并研究了SiC含量对C/SiC-ZrC复合材料力学性能、抗氧化性能和抗烧蚀性能的影响.结果表明,随着SiC含量的增加,C/SiC-ZrC复合材料的强度逐渐降低,静态抗氧化性能提高,在氧乙炔焰烧蚀环境下的质量烧蚀率和线烧蚀率先降低后增加.复合材料抗氧化性和抗烧蚀性的变化与氧化和烧蚀…查看全部>>
C/SiC复合材料与CVD SiC涂层的结合性能研究CSCDCSTPCD
作者：张玉娣张长瑞刘荣军刘晓阳
发表期刊：航空材料学报 2004年4期
关键词：C/SiC复合材料热膨胀系数匹配CVDSiC涂层
摘要：采用先驱体转化法(PIP方法)制备C/SiC陶瓷基复合材料,通过调整多孔预制件的体积密度制备出不同组分比的C/SiC复合材料.结果显示,C/SiC复合材料的热膨胀系数随着复合材料中SiC含量的增加而增加,其与CVD SiC涂层之间的热匹配也相应增加,通过CVI方法制备梯度过渡层,在C/SiC复合材料表面制备出致密度较高的CVD SiC涂层.
C/SiC陶瓷基复合材料表面Si/SiC涂层制备北大核心CSCDCSTPCD
作者：张玉娣张长瑞李俊生
发表期刊：材料工程 2004年10期
关键词：C/SiC陶瓷基复合材料预涂层反应烧结Si/SiC涂层
摘要：采用新的泥浆预涂层-反应烧结工艺在C/SiC复合材料表面制备Si/SiC致密涂层,重点研究了原材料、工艺条件对涂层性能的影响;采用XRD分析涂层的组分及晶体结构,采用SEM分析涂层的断口形貌.结果显示,采用MC为胶粘剂、较低的裂解升温速度制备的预涂层性能最好;无Si气氛存在直接高温烧结制备涂层性能差,而在真空环境下、1450～1600℃温度范围高温烧结能够制备出致密的Si/SiC涂层,Si气氛的大量存在是决定涂层性能的关键.

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