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已找到 7 条结果
- 高性能InP/InGaAs宽光谱红外探测器北大核心CSCDCSTPCD
- MCP输入增强膜对像增强器主要性能的影响研究北大核心CSCDCSTPCD
- 超二代微光像增强器性能随工作时间的影响研究CSTPCD摘要:研究了超二代微光像增强器性能随工作时间的变化规律,掌握性能变化特点.通过性能测试和曲线拟合,得出亮度增益、信噪比随工作时间的变化逐渐下降,分辨力随工作时间的变化几乎保持不变.其中,亮度增益与工作时间呈指数函数变化,即当超二代微光像增强器在 10000 h的工作时间内,亮度增益随工作时间的变化速率较快,但随着工作时间增加,亮度增益下降速率变慢,且最终趋于平稳.信噪比随工作时间呈多项式函数变化,且随着工作时间的增加信噪比逐渐下降.将…查看全部>>
- InP/InGaAs探测器氮化硅钝化膜的ICPCVD生长技术北大核心CSCDCSTPCD摘要:采用ICPCVD工艺对InP/InGaAs探测器进行SiNx薄膜钝化,讨论了不同气体比例、射频功率和反应压力对SiNx薄膜应力和致密性的影响.初步得到了低应力、良好致密性的SiNx薄膜沉积工艺.利用此工艺制作的InP/InGaAs探测器在偏压为-10 mV的暗电流比PECVD工艺制作的器件降低了一个数量级,为4.4×10-8 A.
- 基于多种人际角色共情体验的护理团建活动对护士团队心理资本的影响北大核心
- 超二代像增强器分辨力提高方法CSTPCD
- 微通道板斜切角对像增强器性能的影响研究CSTPCD摘要:采用试验对比分析的方法,从MCP斜切角对像增强器的MCP噪声因子、分辨力、MCP增益三方面的影响展开研究.试验结果表明,MCP斜切角在5°~12°范围内时,MCP噪声因子与MCP斜切角呈抛物线关系,当MCP斜切角为9°时,MCP噪声因子最小;分辨力与斜切角呈负相关关系,当MCP斜切角为5°时,分辨力最大;MCP增益随斜切角的增加呈抛物线变化,当MCP斜切角为9°时,MCP增益最大.这主要是因为改变MCP斜切角后,光电子进入MCP通道前…查看全部>>