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微波低噪声SiGe HBT的研制
北大核心
CSCD
CSTPCD
作者：
钱伟
张进书
贾宏勇
林惠旺
钱佩信
发表期刊：
半导体学报 2000年5期
关键词：
HBT
SiGe
微波
低噪声EEACC:2560B
2560J
摘要：
利用3μm工艺条件制得SiGe HBT(Heterojunction Bipolar Transistor),器件的特征频率达到8GHz.600MHz工作频率下的最小噪声系数为1.04dB,相关功率增益为12.6dB,1GHz工作频率下的最小噪声系数为1.9dB,相关功率增益为9dB,器件在微波无线通信领域具有很大的应用前景.
