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- 均匀、阶梯和线性掺杂漂移区SOI RESURF器件的统一击穿模型北大核心CSCD
- 集成电路HPM损伤机理分析CSTPCD
- 同轴圆柱SF6气体间隙直流绝缘特性及其影响因素北大核心CSCDCSTPCD摘要：同轴圆柱是直流SF6气体绝缘设备的基本结构,研制了不同间隙长度和不同气体压力下直流SF6气体绝缘特性基础研究平台,通过试验研究建立了长间隙同轴圆柱SF6间隙直流击穿电压计算模型,对影响间隙直流绝缘特性的表面粗糙度、金属导电微粒、电极表面积大小进行了试验研究和分析.由与直流气体绝缘设备的电场不均匀系数和表面粗糙相似的电极得出的击穿电压计算模型,可为SF6气体间隙绝缘优化提供依据.
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