- 年份
- 2004(6)
- 核心收录
- 中国科学引文数据库(CSCD)(6)
- 中国科技论文与引文数据库(CSTPCD)(6)
- 北京大学中文核心期刊目录(北大核心)(6)
- 刊名
- 电子元件与材料(6)
- 作者单位
- 北京科技大学(1)
- 南京工业大学(1)
- 南京电子技术研究所(1)
- 天津大学(1)
- 西北工业大学(1)
- 更多...
- 语种
- 汉语(6)
- 关键词
- 无机陶瓷材料(6)
- 介电性能(2)
- 烧结温度(2)
- (PSN-PZN-PMS-PZT)压电陶瓷(1)
- AFM(1)
- BST薄膜(1)
- BZT薄膜(1)
- RMS(1)
- XRD(1)
- sol-gel(1)
- 更多...
- 作者
- 冷文建(1)
- 刘向春(1)
- 刘敏(1)
- 吴红忠(1)
- 周洪庆(1)
- 姚熹(1)
- 孙清池(1)
- 廖家轩(1)
- 张昌松(1)
- 张良莹(1)
- 更多...
相关度
- 相关度
- 发表时间
每页显示10条
- 每页显示10条
- 每页显示20条
- 每页显示30条
已找到 6 条结果
- 稀土掺杂的BSTO/MgO铁电移相材料北大核心CSCDCSTPCD
- 铁电陶瓷与铁氧体叠层低温共烧行为的研究北大核心CSCDCSTPCD
- 利用硅烷改善氮化铝粉末抗水解性的研究北大核心CSCDCSTPCD
- 烧结工艺对PSN-PZN-PMS-PZT瓷性能的影响北大核心CSCDCSTPCD摘要:采用二次合成工艺得到了Pb(Sn1/3Nb2/3)0.03(Zn1/3Nb2/3)0.03(Mn1/3Sb2/3)0.04Zr0.435Ti0.465O3(PSN-PZN-PMS-PZT)五元系压电陶瓷.分析讨论了压电陶瓷的烧结温度与体密度、气孔率、晶粒大小及介电、压电性能的关系.并研究升温速度,保温时间对介电、压电性能的影响.结果表明,升温速度过快时材料致密性下降;烧结温度1 260℃保温3 h,得到一种综合性能优良的压电材料.其主…查看全部>>
- sol-gel法制备锆钛酸钡薄膜的研究北大核心CSCDCSTPCD
- 退火工艺对钛酸锶钡薄膜结构的影响北大核心CSCDCSTPCD