|
国家科技期刊平台
登录
|
注册
检索
高级检索
相关度
相关度
发表时间
每页显示10条
每页显示10条
每页显示20条
每页显示30条
已找到
1
条结果
标准CMOS工艺载流子注入型三端Si-LED的设计与研制
北大核心
CSCD
CSTPCD
作者：
韩磊
张世林
郭维廉
毛陆虹
谢生
张兴杰
谷晓
发表期刊：
发光学报 2012年4期
关键词：
硅基LED
标准CMOS
发光器件
正向注入发光
光电集成
摘要：
采用无锡华润上华(CSMC)0.5μm标准CMOS工艺,设计并制备了一种新型的高发光功率载流子注入型三端Si-LED器件.该器件在p型衬底上进行n+掺杂,与p衬底形成两个相对的n+p结,其中一个结正向偏置,发出峰值波长在1 100 nm附近的红外光;另一个结同样正偏,作为注入结对发光进行调制.测试结果显示:第三端注入载流子明显增强了总体的发光功率,在10 mA偏置电流、3V调制电压下,可获得1 nW的光功率,与单结相比提高了两个数量级…
查看全部>>
