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Sb在Au单晶电极上结构敏感吸附行为的比较北大核心CSCD
作者：颜佳伟商旺火吴琼毛秉伟
发表期刊：电化学 2005年2期
关键词：SbAu(111)Au(100)不可逆吸附欠电位沉积扫描隧道显微镜
摘要：本文研究比较Sb(III)在Au(111)和Au(100)电极上的不可逆吸附与还原和Sb的欠电位沉积行为及其相互影响.现场扫描隧道显微镜和循环伏安法测试结果表明,基底表面结构不仅影响阴离子的吸附行为和Sb的吸附结构,而且还影响其自身结构的稳定性.在Au(111)表面,致密无序膜的SbO+不可逆吸附层还原后基本保持原有的无序结构;而在Au(100)表面,由于SO42-的共吸附,不可逆吸附物种还原后形成(2×2)有序结构.在Au(111)…查看全部>>
铅于旋转银盘电极上欠电位沉积的计时库仑法研究北大核心CSCD
作者：王春明包永军杜永令
发表期刊：分析化学 2001年2期
关键词：欠电位沉积铅旋转银盘电极计时库仑法单层电量
摘要：用计时库仑法研究了Pb2+于旋转Ag盘电极(Ag-RDE)上的欠电位沉积(UPD)性质。实验证明，支持电解质(0.01 mol/LHN03+0.01 mol/L NaCl)中Cl-离子的存在有利于取得稳态条件下UPD-Pb的电量值。其氧化过程电量(Qa)，代表Pb2+吸附单层被定量转化为UPD Pb单层的量，Qa的平均值为393.3μC/cm2，相应于2×10-9 mol/cm2 Pb2+表面复盖量。
锰在铅电极上的欠电位沉积研究
作者：封雪松司玉军张胜涛
发表期刊：四川理工学院学报（自然科学版） 2009年3期
关键词：锰欠电位沉积铅电极
摘要：采用电化学循环伏安法、线性电位扫描法研究了锰在铅电极上的欠电位沉积(UPD).结果表明,用铅电极做研究电极时,当MnCl2的浓度为0.02 mol/L ,NH4Cl的浓度为0.1 mol/L ,pH=4.9,起扫电位为-1.2V,终止电位为-1.6V,扫描速度为50mv/s时,可以观察到明显的锰欠电位沉积现象;氯离子在锰的欠电位沉积过程中起着重要的作用.
“三明治式”多层Au/Pt复合薄膜的制备及其对甲醇的电氧化北大核心CSCDCSTPCD
作者：赵静孙越李永军梁韧
发表期刊：物理化学学报 2011年8期
关键词：界面组装欠电位沉积Au/Pt复合多层膜电氧化甲醇
摘要：采用界面组装、欠电位沉积和氧化还原置换反应组合方法制备了单层Pt/Au复合薄膜,并且不需要任何有机偶联剂;组装单层Pt/Au复合薄膜为三类多层Pt/Au复合薄膜:(Pt/Au)n、Ptm/Au和(Pt3/Au)k(n、m和k分别为Pt/Au、Pt和Pt3/Au的层数).采用电子显微镜研究了Au纳米粒子单层膜和Pt/Au复合多层膜的形貌.对于所有的多层膜电极而言,其电化学活性面积随着层数的增加而增加.通过研究甲醇在每一类Pt/Au复合薄…查看全部>>
Co-Se化合物薄膜的电沉积制备与表征北大核心CSCDCSTPCD
作者：王博刘芳洋李劼赖延清张治安刘业翔
发表期刊：无机材料学报 2011年4期
关键词：CoSe薄膜循环伏安欠电位沉积带隙宽度太阳电池
摘要：采用电沉积方法在SnO2玻璃基底上制备了Co-Se化合物薄膜.研究了薄膜形成的电化学机理和电沉积工艺对薄膜组成与形貌的影响,并表征了薄膜的结构与光学性质.结果表明:Co2+受预沉积Se的表面诱导还原或直接与H2SeO3的六电子还原反应产物H2Se发生反应形成Co-Se化合物;沉积电位、沉积温度和pH值均显著影响电沉积Co-Se化合物薄膜的形貌与成分;在沉积电位为-0.5V(vs SCE)、沉积温度为50℃和pH值为2.0时可制备…查看全部>>
含镓、锡的铝合金在碱性溶液中的阳极行为北大核心CSCD
作者：李振亚秦学余远彬陈艳英易玲杨林
发表期刊：物理化学学报 1999年4期
关键词：铝阳极活化欠电位沉积
摘要：The major reason of Al anode activation is that Ga can plate out on the aluminum surface and form activated points.The Al-Sn,Al-Ga binary alloys can′ t be activated in alkaline medium.During the dissolution of the Al-Sn…查看全部>>
Pt（S）[n（100）×（110）]表面Cu欠电位沉积北大核心CSCDCSTPCD
作者：Rubén GisbertVíctor ClimentEnrique HerreroJuan M.Feliu
发表期刊：电化学 2012年5期
关键词：Pt单晶电极Cu欠电位沉积台阶修饰
摘要：本文研究了Cu在Pt（100）台阶面和（110）单原子台阶的欠电位沉积.发现若不考虑阴离子吸附,初始阶段Cu在台阶面和台阶处的电沉积同时进行.在电沉积满单层的伏安曲线上,可以观察到若干峰.通过对峰电荷与台阶密度关系的分析,可认为这些峰分别对应于不同的沉积位点.较正电位的峰对应于Cu在台阶面上的电沉积,而在台阶处Cu的电沉积则因溶液中的阴离子而具有不同的伏安性质.此外,还发现Pt电极表面的Cu沉积电荷转移数接近2e,且沉积初始阶段阴离子覆盖度不变.
Pr(Ⅲ)离子在LiCl-KCl熔体中Bi膜W电极上的电化学行为北大核心CSCDCSTPCD
作者：姜涛彭述明李梅裴婷婷韩伟孙杨张密林
发表期刊：物理化学学报 2016年7期
关键词：电化学行为Pr-Bi金属间化合物欠电位沉积热力学性质恒电位电解
摘要：采用循环伏安、方波伏安、计时电位和开路计时电位等电化学方法研究了Pr(Ⅲ)离子在LiCl-KCl-BiCl3熔体中W电极上的电化学行为.循环伏安和方波伏安的研究表明,Pr在预先沉积的Bi膜电极上发生欠电位沉积是由于生成了Pr-Bi金属间化合物,导致Pr(Ⅲ)在Bi膜电极上的还原电位比在W电极上还原电位更正.从开路计时电位曲线可以观察到两相共存的Pr-Bi金属间化合物的两个平台.利用开路计时电位计算了723-873 K温度范围内Pr在P…查看全部>>
锌在金电极上的欠电位沉积北大核心CSCDCSTPCD
作者：郭雷胡舸李文坡张胜涛
发表期刊：应用化学 2013年2期
关键词：锌金电极欠电位沉积
摘要：采用循环伏安法和计时电流法,研究了强碱溶液中锌在金电极上的欠电位沉积.通过改变锌离子浓度和扫描速率等实验参数,在约-0.935 V(vs.SCE)开始出现锌的欠电位沉积,并且金属离子浓度的变化可能会影响到欠电位沉积过程的动力学机制；计时电流实验证实,锌欠电位沉积于金衬底上遵循的是受掺入吸附原子控制的二维瞬时成核和生长机制；且OH-离子的吸附对锌欠电位沉积具有重要的影响.
LiCl-KCl熔盐体系中镨（Ⅲ）在镍电极上的电化学行为北大核心CSCDCSTPCD
作者：李梅李炜韩伟张密林颜永得
发表期刊：高等学校化学学报 2014年12期
关键词：电化学行为欠电位沉积恒电位电解镨-镍金属间化合物
摘要：采用循环伏安、方波伏安、计时电位和开路计时电位等电化学方法研究了Pr (Ⅲ)离子在共晶LiCl-KCl熔盐中Ni电极上的电化学行为及Pr-Ni合金化机理.结果表明, Pr(Ⅲ)离子的电化学还原过程为三电子转移的一步反应.与惰性Mo电极上的循环伏安曲线相比, Pr(Ⅲ)离子在活性Ni电极的循环伏安曲线上还出现了4对氧化还原峰,表明Pr(Ⅲ)离子在Ni电极上发生欠电位沉积,是由于生成不同的Pr-Ni金属间化合物.采用X射线衍射仪和扫描电子…查看全部>>

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