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分离式片上微摩擦测试机构及其制作
北大核心
CSCD
CSTPCD
作者:
郭占社
姜春福
张欲晓
郑德智
发表期刊:
中国机械工程 2007年21期
关键词:
片上微摩擦测试机构
体硅工艺
键合技术
动态摩擦因数
静态摩擦因数
摘要:
为有效模拟基于单晶硅材料的微机电器件摩擦副的摩擦磨损状况,设计了一种分离式片上微摩擦测试机构.该测试机构利用微机电系统体硅工艺及键合技术,把加载机构、测试机构、摩擦副以及力传感器集成在一个单一的硅片上.对该机构的测试结果表明:摩擦副之间的静摩擦因数约为0.9,动态摩擦因数随着施加在摩擦副上正压力的变化而变化.