- 年份
- 2006（1）
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- 刊名
- 半导体学报（1）
- 作者单位
- 南京大学（1）
- 语种
- 汉语（1）
- 关键词
- InxGa1-xN合金薄膜（1）
- Ⅴ/Ⅲ比（1）
- 表面分凝（1）
- 作者
- 刘成祥（1）
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- InxGa1-xN合金薄膜In的表面分凝现象北大核心CSCDCSTPCD摘要：用MOCVD方法在α-Al2O3(0001)衬底上外延生长了InxGa1-xN合金薄膜.测量结果显示:所制备的InxGa1-xN样品中In的组分随外延生长温度而改变,生长温度由620℃升高到740℃,In的组分由0.72降低到0.27.这是由于衬底温度越高,In进入InxGa1-xN薄膜而成键的效率越低.样品的X射线衍射谱和X射线光电子能谱均显示:在生长温度为620℃和690℃时所生长的InxGa1-xN样品中均存在明显的In的…查看全部>>