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瞬态电压抑制二极管的建模及仿真CSTPCD
作者：黄薇罗启元蒋同全汪洋金湘亮
发表期刊：太赫兹科学与电子信息学报 2014年6期
关键词：静电放电TVS二极管热源模型计算机辅助设计仿真二次击穿点
摘要：基于0.5μm CMOS工艺，设计瞬态电压抑制(TVS)二极管。利用黑箱理论对该器件在高电压大电流下的反向工作特性建模，在 Matlab 数值模拟工具中利用所建模型仿真，获得了包含一次击穿、二次击穿(硬失效)点的反向 I–U特性曲线；基于 Silvaco TCAD 工艺器件仿真平台，经DC 仿真验证所建模型的准确性。仿真结果表明，2种方法获得的特性曲线基本吻合，本文所建数值模型能够预测 TVS二极管瞬态电压抑制时的电特性。