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UHMWPE/CB复合材料的耐磨性能和导电性能研究北大核心CSTPCD
作者：杨松伟
发表期刊：塑料科技 2022年8期
关键词：超高分子量聚乙烯导电炭黑隔离结构耐磨性能导电性能
摘要：为了提升抗静电聚合物复合材料在滑动摩擦过程中的耐磨性能,通过高速机械混合和热压成型技术制备超高分子量聚乙烯/导电炭黑(UHMWPE/CB)复合材料,研究CB的含量对UHMWPE/CB复合材料的结构、导电性能、耐磨性能和力学性能的影响.结果表明:CB颗粒均匀分布在UHMWPE基体微区界面之间,形成隔离结构.复合材料的电导率和邵氏硬度随着CB用量的增加均有所提高,摩擦系数随着CB含量的增加而降低.当CB含量增至7％,干滑动摩擦条件(…查看全部>>
具有隔离结构的聚苯硫醚/石墨烯纳米片复合材料的制备及电磁屏蔽性能研究北大核心CSCDCSTPCD
作者：曹轶杨家操王孝军张刚龙盛如杨杰
发表期刊：中国塑料 2019年8期
关键词：聚苯硫醚石墨烯纳米片隔离结构电磁屏蔽
摘要：导电填料石墨烯纳米片(GNPs)通过高速混合包覆于聚苯硫醚(PPS)树脂基体颗粒表面,再通过热压成型制备出具有完善隔离结构的PPS/GNPs复合材料.采用光学显微镜、扫描电子显微镜、电导率测试、电磁屏蔽性能测试对复合材料导电网络形貌、电性能和电磁屏蔽性能进行表征.结果表明,复合材料具有完善的隔离结构导电网络;隔离结构复合材料具备优异的电导率和电磁屏蔽效能(EMI SE),当GNPs含量为3.0％(质量分数,下同)时,复合材料的电导率…查看全部>>
隔离结构聚乙烯/石墨-碳纳米管复合材料性能研究北大核心CSCDCSTPCD
作者：易新周华龙张永姜新鄢定祥
发表期刊：中国塑料 2019年10期
关键词：隔离结构石墨碳纳米管超高相对分子质量聚乙烯高密度聚乙烯
摘要：通过溶液、机械混合和热压成型法制备了具有隔离结构的高密度聚乙烯(PE-HD)/超高相对分子质量聚乙烯(PE-UHMW)/石墨(G)-碳纳米管(CNT)复合材料,其中G和CNT随机分布于PE-HD内部形成导电相,该导电相分布于PE-UHMW微区界面形成隔离导电网络.结果表明,该复合材料呈现良好的导电性能,可获得较低的导电逾渗值,当G/CNT为1∶3时,复合材料导电逾渗值仅为0.23％(体积分数);同时复合材料保持良好的力学性能,当G-…查看全部>>
一种新型抗辐照SOI隔离结构北大核心CSCD
作者：赵洪辰海潮和韩郑生钱鹤司红
发表期刊：半导体学报 2005年7期
关键词：隔离结构抗辐照SOI
摘要：制备了一种新型抗辐照SOI隔离结构,它包含了薄SiO2/多晶硅/SiO2多层膜.利用这种结构制备的SOI器件在经受3×105rad(Si)的辐照后亚阈值特性未发生明显变化,漏电流也无增加,说明其抗辐照性能优于传统的LOCOS隔离结构.
500V增强型与耗尽型集成VDMOS器件设计
作者：李学会黄昌民詹小勇许玉欢
发表期刊：电子与封装 2019年4期
关键词：增强型VDMOS耗尽型VDMOS元胞结构隔离结构工艺设计
摘要：增强型与耗尽型集成VDMOS器件是LED驱动电路中一种高效、低成本的功率器件.其设计制造要解决的主要问题是两种VDMOS器件工艺的集成问题和两种器件之间的隔离问题.提出一种隔离良好、芯片面积较小的增强型与耗尽型集成VDMOS设计和制造方法,耗尽管位于增强管里面比耗尽管位于增强管外面时耗尽管芯片面积减小74％.测试结果表明500V增强型VDMOS击穿电压BV DSS平均值为550 V,耗尽型VDMOS击穿电压BVDSX平均值为540 V…查看全部>>
具有隔离结构的聚丙烯/碳纳米管复合材料的制备及电磁屏蔽性能北大核心CSCDCSTPCD
作者：邱健姜治伟邢海平李明罡刘杰唐涛
发表期刊：应用化学 2020年8期
关键词：隔离结构碳纳米管聚丙烯逾渗值电磁屏蔽
摘要：通过共挤出包覆-热压法制备了具有隔离结构的聚丙烯(PP)/碳纳米管(CNTs)电磁屏蔽复合材料.其中,CNTs随机分布于PP基体中形成导电相,该导电复合物作为包覆层包敷在纯PP颗粒表面,形成包覆复合粒子,经热压后形成隔离导电网络.结果表明,所制备的隔离结构复合材料呈现良好的导电性能,可获得较低的导电逾渗值0.28％(体积分数);在CNTs质量分数为5.6％时,该复合材料电磁屏蔽性能达到25.6 dB,同时具有良好的力学性能.本文结果表…查看全部>>