- 年份
- 2002（1）
- 2001（2）
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- 刊名
- 半导体学报（2）
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- 作者单位
- 西安电子科技大学（3）
- 语种
- 汉语（3）
- 关键词
- 非线性大信号模型（3）
- 4H-SiC（2）
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- SiC MESFET（1）
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- 直流I-V特性（1）
- 空基相控阵雷达（1）
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- 作者
- 张义门（3）
- 杨林安（3）
- 于春利（2）
- 张玉明（2）
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- 应用于空基相控阵雷达的新型功率器件--SIC射频功率MESFETCSCD摘要：根据空基相控阵雷达的工作环境,对4H-SiC材料及SiC功率器件(SiC MESFET)的特点进行了分析.与GaAs器件相比,这种新型器件在空基相控阵雷达领域有广泛的应用前景.同时建立了用于器件CAD技术的SiC MESFET改进型非线性大信号模型,这种基于实验测量的模型通过SPICE模拟器对器件的功率特性进行了分析,与实验结果符合较好.
- 4H-SiC射频功率MESFET大信号直流I-V特性解析模型北大核心CSCD摘要：根据4H-SiC高饱和电子漂移速度和常温下杂质不完全离化的特点,对适用于Si和GaAs MESFET的直流I-V特性理论进行了分析与修正.采用高场下载流子速度饱和理论,以双曲正切函数作为表征I-V特性的函数关系,建立了室温条件下4H-SiC射频功率MESFET直流I-V特性的准解析模型,适于描述短沟道微波段4H-SiC MESFET的大信号非线性特性,计算结果与实验数据有很好的一致性.同时与MEDICI模拟器的模拟结果也进行了比较.
- 基于实验与物理分析的4H-SiC射频功率MESFET大信号非线性精确电容模型北大核心CSCDCSTPCD摘要：采用电荷控制理论和载流子速度饱和理论的物理分析方法,并结合Statz、Angelov等经验模型的描述方法,提出了常温下针对4H-SiC射频功率MESFET的大信号非线性电容模型.此模型在低漏源偏压区对栅源电容Cgs强非线性的描述优于Statz、Angelov等经验模型,计算量也远低于基于器件物理特性的数值模型,因而适合于大信号的电路设计与优化.