- 年份
- 2010（1）
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- 刊名
- 物理学报（1）
- 作者单位
- 成都信息工程学院（1）
- 语种
- 汉语（1）
- 关键词
- C/SiC纳米管异质结（1）
- 电子结构（1）
- 第一性原理（1）
- 作者
- 张海波（1）
- 朱兴华（1）
- 杨定宇（1）
- 王治国（1）
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- C/SiC纳米管异质结电子结构的第一性原理研究北大核心CSCDCSTPCDSCI摘要：采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,对扶手椅型(4,4)和(6,6)及锯齿型(8,0)和(10,0)C/SiC纳米管异质结的电子结构进行了研究,结果表明两类异质结结构都表现为半导体特性,扶手椅型纳米管异质结形成了Ⅰ型异质结,电子和空穴都限制在碳纳米管部分.锯齿型纳米管异质结中价带顶主要分布在碳纳米管部分及C/SiC界面处,而导带底均匀分布在整个纳米管异质结上.这两种异质结结构在未来纳米器件中具有潜在的应用价值.