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- 用热梯度式CVD增密技术制造C/C复合刹车盘CSCDCSTPCD
- Impact of strain relaxation on the growth rate of heteroepitaxial germanium tin binary alloyCSTPCDEI摘要：The growth of high-quality germanium tin(Ge_(1–y)Sn_(y))binary alloys on a Si substrate using chemical vapor deposition(CVD)techniques holds immense potential for advancing electronics and optoelectronics applications,i…查看全部>>
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