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HIT太阳电池研究现状CSTPCD
作者：孙启利胡志华廖华林娟安家才朱勋梦王文仪
发表期刊：云南师范大学学报（自然科学版） 2012年2期
关键词：HIT电池本征非晶层优化
摘要：带有本征薄膜层的异质结(HIT)太阳能电池制备工艺温度低,转换效率高,高温特性好,是低价高效电池的一种.文章介绍了HIT电池的结构、原理、发展过程,着重阐述提高HIT电池效率的途径,最后对HIT电池的发展前景做了展望.
HIT电池缓冲层的关键技术发展概述北大核心CSCDCSTPCD
作者：白晓宇郭群超李红波
发表期刊：电源技术 2013年4期
关键词：HIT电池缓冲层外延缺陷态密度
摘要：HIT电池由日本Sanyo公司于1990年提出,目前已达到23.7％的最高效率.HIT电池制备的关键技术在于其本征缓冲层的工艺.大量研究表明本征硅薄膜缓冲层在硅片上沉积时很容易发生外延生长.对于外延生长影响的认识存在着很大争议,有学者认为其中含有大量缺陷态,会降低电池性能,并提出了完全阻止外延生长的新结构,但也有学者认为恰恰是外延结构真正起到了钝化界面的作用.分析认为,不同甚至相互矛盾的实验结果可能与外延结构生长时缺陷态密度的控制有关…查看全部>>