- 年份
- 2008(1)
- 核心收录
- 中国科技论文与引文数据库(CSTPCD)(1)
- 刊名
- 电子器件(1)
- 作者单位
- 西安电子科技大学(1)
- 语种
- 汉语(1)
- 关键词
- CMOSFET应变硅锗(1)
- Medici模拟(1)
- 应变硅(1)
- 异质结(1)
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- 作者
- 宣荣喜(1)
- 张鹤鸣(1)
- 舒斌(1)
- 马晓华(1)
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- 双应变SiGe/Si异质结CMOS的设计及其电学特性的Medici模拟CSTPCD摘要:本文提出一种沟道长度为0.125 μm的异质结CMOS(HCMOS)器件结构.在该结构中,压应变的SiGe与张应变的Si分别作为异质结PMOS(HPMOS)与异质结NMOS(HNMOS)的沟道材料,且HPMOS与HNMOS为垂直层叠结构;为了精确地模拟该器件的电学特性,修正了应变SiGe与应变Si的空穴与电子的迁移率模型;利用Medici软件对该器件的直流与交流特性,以及输入输出特性进行了模拟与分析.模拟结果表明,相对于体Si CMO…查看全部>>