分子束外延HgCdTe表面缺陷研究OA北大核心CSCD
SURFACE DEFECTS ON MBE GROWN HgCdTe
采用GaAs作为衬底研究了HgCdTe MBE薄膜的表面缺陷.借助SEM分析了不同缺陷的成核机制,确定了获得良好表面形貌所需的最佳生长条件.发现HgCdTe外延生长条件、衬底表面处理等因素与外延层表面各种缺陷有关.获得的外延层表面缺陷(尺寸大于2 μm)平均密度为300 cm-2,筛选合格率为65%.
陈路;巫艳;于梅芳;王善力;乔怡敏;何力
中国科学院上海技术物理研究所半导体材料与器件研究中心中国科学院上海技术物理研究所半导体材料与器件研究中心中国科学院上海技术物理研究所半导体材料与器件研究中心中国科学院上海技术物理研究所半导体材料与器件研究中心中国科学院上海技术物理研究所半导体材料与器件研究中心中国科学院上海技术物理研究所半导体材料与器件研究中心
信息技术与安全科学
分子束外延HgCdTe表面缺陷
《红外与毫米波学报》 2001 (6)
化合物半导体材料
406-410,5
国家自然科学基金资助项目
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