Si/Co/Cu/Co多层膜中巨磁电阻效应及与微结构的关系OA北大核心CSCD
Anisotropic GMR Effect in Si/Co/Cu/Co Multilayers and Its Correlation with Microstructure
用超高真空电子束蒸发方法在Si(100)衬底上制备了Si/Co/Cu/Co多层膜.发现当Si层厚度达到0.9 nm时,多层膜中开始出现较强的平面内各向异性巨磁电阻效应.在Si 1.5 nm/Co 5 nm/Cu 3 nm/Co 5 nm多层膜中,作者在其易轴上得到了5.5%的巨磁电阻值和0.7%/Oe的磁场灵敏度.用X射线衍射和透射电镜研究了Si/Co界面之间的相互扩散,发现在Si层与Co层间形成了Co-Si化合物层,这个硅化物界面层诱导了其上的…查看全部>>
沈鸿烈
南京航空航天大学材料科学与技术学院,南京,210016
数理科学
巨磁电阻效应平面内各向异性电子束蒸发多层膜
《南京航空航天大学学报》 2005 (5)
541-546,6
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