退火效应对MOCVD生长的ZnO薄膜的影响OA北大核心CSCDCSTPCD
Influence of Annealing on the Properties of ZnO Thin Film
我们利用MOCVD设备在α-Al2O3衬底上生长了c轴取向的ZnO薄膜,通过X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)对ZnO薄膜进行表征,研究了退火对ZnO薄膜光电特性影响.通过退火优化, ZnO薄膜的结晶性得到提高,晶粒尺寸变大,紫外光发射峰的强度相对变强.
朱宝富;黄柏标;秦晓燕;李先林;姚书山;尉吉勇;张琦
山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100
信息技术与安全科学
MOCVD退火ZnO薄膜X射线衍射光致发光谱
《人工晶体学报》 2004 (5)
755-757,3
国家自然科学基金(No.11250005130390)资助项目
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