直接氮化法制备单晶AlN纳米线OA北大核心CSCDCSTPCD
Preparetion of monocrystal AlN nanowires by direct nitridation method
采用直流电弧放电装置,通过金属铝和氮气直接反应,在钼阴极上沉积出大量的AlN纳米线.利用XRD、SEM、TEM和拉曼(Raman)光谱对所制样品的结构、形貌和光学特性进行了表征.结果表明:大部分AlN纳米线沿着[001]方向生长,平均直径为45 nm,长度5 μm左右;Raman光谱的峰值与单晶体材料AlN的结果一致,说明AlN纳米线结晶质量较好.
沈龙海;崔启良;成泰民
沈阳理工大学,理学院,辽宁,沈阳,110168吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130012沈阳化工学院,数理系,辽宁,沈阳,110142
数理科学
电子技术AlN纳米线半导体材料直流电弧放电
《电子元件与材料》 2008 (10)
III族低维纳米氮化物的高压研究
78-80,3
国家自然科学基金资助项目(No. 50772043)
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