熔区固液界面温度梯度的优化与再结晶SOI晶膜质量的提高OA北大核心CSCD

本文研究了多晶硅薄膜在红外溶区再结晶过程中溶化和固化前沿不同的推进行为，提出为了提高再结晶质量，熔区两则对所得到的辐射能流密度分布有不同的要求，据此提出了一种兼熔化和固化要求的不对称加热区熔再结晶技术、成功地制备了高质量的ＳＯＩ晶膜。