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- 6H-SiC反型层电子库仑散射北大核心CSCD摘要：提出了一种综合的SiC反型层库仑散射解析模型，并在模型中考虑了库仑电荷中心的相关性．对6H-SiC反型层电子迁移率进行了单电子MonteCarlo模拟，模拟结果和实验值相符．模拟结果表明，当有效横向电场变小时库仑散射的作用将增强，库仑电荷密度和分布也对反型层迁移率有着重要影响．
- 界面态电荷对n沟6H-SiC MOSFET场效应迁移率的影响北大核心CSCDCSTPCD