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- 非晶碳/Mo2C混合膜的场发射特性CSTPCD摘要：以镀有Mo过渡层的Al2O3衬底,在微波等离子体增强化学气相沉积系统中,制备了非晶碳/Mo2C混合结构薄膜,反应气体为CH4和H2.在高真空室中测量了样品场发射特性,开启场强为0.55 V/μm,在1.8 V/μm电场下样品的发射电流密度为6.8 mA/cm2,发射点点密度大于103/cm2.用SEM观察了表面形貌,Raman和XRD谱分析了薄膜的微观结构和成分.实验结果表明该薄膜是一种好的场致电子发射体.
- 化学气相沉积过程中Si的引入对硬质合金金刚石涂层附着力的影响北大核心
- MPCVD中基片加热材料的温度场摄动模型研究CSCDCSTPCD摘要：为改进微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)装置中的加热系统,提出了用基片加热材料替代常规加热方式的新的技术路线;建立了基片加热材料的微波轴对称温度场模型并得到了一般解;通过对基片加热材料的微波设计,在MPCVD装置中获得大于基片台直径的均匀温度分布区.
- 超纳米金刚石薄膜场发射特性的研究北大核心CSCDCSTPCD摘要：超纳米金刚石(UNCD)是一种全新的纳米材料,具有许多独特性能.介绍了Si微尖和微尖阵列阴极沉积超纳米金刚石薄膜的工艺及其场发射特性.研究发现,适当的成核工艺和微波等离子体化学气相沉积工艺可在Si微尖上沉积一层光滑敷形的金刚石薄膜;沉积后阴极的电压-电流特性、发射电流的稳定性以及工作在氧气环境下的发射特性都获得明显提高.讨论了超纳米晶金刚石薄膜阴极的发射机理.
- 碳纳米球薄膜的场发射特性北大核心CSCDCSTPCD摘要：利用微波等离子体化学气相沉积法,在Si(100)衬底上制备了碳纳米球薄膜.利用拉曼光谱和场发射扫描电子显微镜研究了薄膜的结构以及表面形貌,表明碳纳米球薄膜是由约2～3μm长、100 nm宽的无定形碳纳米片相互缠绕、交织成球状而构成的.在高真空系统中测量了碳纳米球薄膜的场发射特性,结果表明,碳纳米球薄膜具有良好的场发射特性,阈值电场为3.1 V/μm,当电场增加到10 V/μm时,薄膜的场发射电流密度可达到60.7 mA/cm2.通过三…查看全部>>
- 沉积工艺参数对碳纳米管薄膜场发射性能的影响北大核心CSCDCSTPCD
- 刻线镍膜上沉积的碳纳米管场发射特性北大核心CSCDCSTPCD
- 白碳纳米晶薄膜及其场致电子发射特性北大核心CSCDCSTPCD摘要：利用微波等离子体化学气相沉积方法,以甲烷、氢混合气体为反应气体,具有钛镀层的玻璃作为衬底,制备了具有sp1杂化结构的白碳纳米晶薄膜.利用X射线衍射、俄歇电子能谱,以及扫描电子显微镜对薄膜结构进行了表征.以白碳纳米晶薄膜为阴极,以镀有ITO透明导电薄膜玻璃为阳极,采用二极管结构,测试了白碳纳米晶薄膜的场致电子发射特性.开启电场为2.5 V/μm,在电场为5 V/μm时的电流密度为 200 μA/cm2.对白碳纳米晶薄膜生长机理,以及其场…查看全部>>
- 金刚石/碳化硅复合梯度膜制备研究北大核心CSCDCSTPCD摘要：采用微波等离子化学气相沉积(MW-PCVD)制备金刚石/碳化硅复合梯度膜.工作气体为H2,CH4和Si[CH3]4(四甲基硅烷,TMS),其中H2:CH4=100:0.6,Si[CH3]4为0%～0.05%,沉积压力为3300Pa,基体温度为700℃,微波功率为700W.基体为单晶硅,在沉积前用纳米金刚石颗粒处理.沉积后的样品经扫描电子显微镜(SEM),电子探针显微分析(EPMA),X射线能量损失分析(EDX)表明:…查看全部>>
- 采用WC过渡层增加金刚石薄膜附着力的研究CSTPCD摘要：在微波等离子体化学气相沉积装置中,以WC-8%Co为基体,采用氢等离子体脱碳、磁控溅射镀W、碳化等方法,制备了微晶WC过渡层.研究了金刚石薄膜与基体的附着力.结果表明,表面脱碳后再镀W膜,W填充了氢等离子体脱碳时刀具表面因钴蒸发而留下的空洞,形成过渡层,在随后的碳化中和基体WC连接较为紧密,能增加金刚石薄膜与基体附着力,克服单纯的氢等离子体脱碳还原法降低刀具基体硬度、不能完全消除钴的有害影响的缺点.