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- 周期数n对(BSZT/BTO)n薄膜微观结构和电学性能的影响北大核心CSTPCD摘要：为了提高单周期BSZT/BTO薄膜的性能,采用射频磁控溅射技术制备了(BSZT/BTO)n(n=1,2,3,4)多周期异质结构薄膜.通过XRD、SEM和电学性能测试等手段探究周期数n对(BSZT/BTO)n薄膜微观结构和电学性能的影响.结果表明,随着周期数n的增加,(BSZT/BTO)n薄膜结晶性增强,介电常数增大,介电损耗减小.在1 MHz测试条件下,(BSZT/BTO)4薄膜的介电常数为187,介电损耗仅为0.02,同时薄膜的铁电…查看全部>>
- 铌镁酸钡缓冲层对锆钛酸铅薄膜漏电流的抑制北大核心CSTPCD
- 紫光对外延掺锰铁酸铋薄膜物性的影响北大核心CSCDCSTPCD摘要：采用溶胶-凝胶的方法在(001)取向的SrRuO3/SrTiO3 (SRO/STO)异质结上制备了外延BiFen95 Mn0.05O3(BFMO)薄膜,并以氧化铟锡(ITO)作为上电极构架了ITO/BFMO/SRO型电容器.研究表明,BFMO薄膜为良好的外延生长,当波长为404 nm的紫光入射到电容器表面,产生光电导,漏电流密度变大;测试电压为5V时,无光和光照时的漏电流密度分别为2.92 mA/cm2和10.10 mA/cm2.通过…查看全部>>
- (Ba0.5Sr0.5)TiO3铁电薄膜的制备工艺及电学性质研究北大核心CSCDCSTPCD
- 锌掺杂对铁酸铋薄膜结构及多铁性能的影响CSTPCD
- Sb3+掺杂对Bi2Ti2O7薄膜性能的影响北大核心CSTPCD摘要：采用Sol-gel法,以Pt/Ti/SiO2/Si为衬底在700℃下退火20 rain制备了Sb3+摩尔含量分别为0.1、0.2、0.3、0.4、0.5和0.6的Bi2-xSbxTi2O7薄膜.通过对薄膜进行XRD、SEM和C-V、J-V曲线测试,详细讨论了不同Sb3+含量对Bi2Ti2O7薄膜在结构、表面形貌、电容和漏电流等方面的影响.研究结果表明:Sb3+的掺杂在没有改变Bi2Ti2O7薄膜焦绿石结构的基础上提高了薄膜的稳定性;S…查看全部>>
- SrBi2Ta2O9/LaNiO3异质结薄膜的铁电、磁性能及漏电流研究