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30 条结果

一种单平面结构的高精度V波段0/180°移相器北大核心CSCDCSTPCD
作者：孙琳琳毛华平
《现代雷达》 2008年11期《现代雷达》 Issue 11,2008
关键词：0/180°移相器毫米波V波段魔-T共面波导-槽线过渡平衡式肖特基势垒二极管
摘要：受魔-T特性的启发,不同于传统的平衡式微带-槽线0/180°移相器双平面结构,文中采用平衡式共面波导-槽线转换方案,应用肖特基势垒二极管研制了一种响应速度快、寄生调幅小的小型化单平面电路结构V波段0/180°移相器,实现了电路简化设计.该移相器结构紧凑,加工方便,在4 GHz的宽频带范围内,实现插入损耗＜3 dB、相位平衡度≤5°、幅度平衡度≤0.5 dB的良好电性能.
III族氮化物基的肖特基势垒二极管的研制CSCDCSTPCD
作者：俞慧强张荣周玉刚沈波顾书林施毅郑有炓
《高技术通讯》 2003年7期《高技术通讯》 Issue 7,2003
关键词：III族氮化物肖特基势垒二极管
摘要：研制了三类不同金属和III族氮化物接触的肖特基势垒二极管.测量了器件的电流-电压特性,并分析了器件偏离理想情况的原因.
Ka波段二倍频器的研究与设计北大核心CSCDCSTPCD
作者：黄绣江唐宗熙杨涛
《电子科技大学学报》 Issue 5,2002
关键词：Ka波段倍频器平衡电路肖特基势垒二极管宽带
摘要：利用反向并联二极管对的二倍频原理,设计了Ka波段二倍频器.用高级设计系统ADS设计软件包的射频设计软件对二倍频器的电路进行了模型设计和仿真分析,并对设计出的二倍频器进行了整体优化,研制了Ka波段的二倍频器;在整个Ka波段内的变频损耗为11.2±1.8 dB,减少了设计的理想模型与实际参数的偏差.
半双工RS-485收发器的发送电路设计北大核心CSCDCSTPCD
作者：刘艳丽应建华宋敏邹望辉
《华中科技大学学报（自然科学版）》 Issue 2,2004
关键词：RS-485接口协议发送电路肖特基势垒二极管恒流源
摘要：介绍了一种半双工RS-485通信收发器的发送电路的设计,该电路具有数据传输率高(2.5 Mbit/s)、大驱动电流(可驱动32个收发器)的特点,且具有高电压保护和过流保护的功能.为了进一步提高电路性能,在设计中灵活运用了肖特基势垒二极管.并用candence公司的spectre进行仿真,结果表明可实现预定目标.
W频段宽带倍频器北大核心CSCDCSTPCD
作者：杨涛向志军吴伟杨自强钱可伟
《红外与毫米波学报》 Issue 3,2007
关键词：W频段倍频器平衡电路肖特基势垒二极管
摘要：介绍了一个W频段宽带倍频器.采用反向并联二极管对结构实现宽带倍频.该倍频器输入为WR-28波导到微带过渡结构,输出为WR-10减高波导.在输入功率为5dBm时,在整个W频段输出功率为0.81±1.80dBm,二次谐波抑制度大于25dBc.该倍频器可把Ka频段的信号源扩展到W频段.
采用场板和B+离子注入边缘终端技术的Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管北大核心CSCDCSTPCD
作者：陈刚李哲洋柏松任春江
《半导体学报》 2007年9期《半导体学报》 Issue 9,2007
关键词：碳化硅肖特基势垒二极管理想因子势垒高度离子注入
摘要：采用自主外延的4H-SiC外延片,利用PECVD生长的SiO2做场板介质,B+离子注入边缘终端技术,制造了Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管.测试结果表明,Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管的理想因子n=1.08,势垒高度(ψe)=1.05eV,串联电阻为6.77mΩ·cm2,正向电压为4V时,电流密度达到430A/cm2.反向击穿电压大于1.1kV,室温下,反向电压为1.1kV时,反向漏电流为5.96×10-3 A/cm2.
4H-SiC肖特基势垒二极管伏-安特性的解析模型北大核心CSCD
作者：常远程张义门张玉明
《西安电子科技大学学报（自然科学版）》 Issue 4,2001
关键词：肖特基势垒二极管热电子发射反向电流隧道效应
摘要：在分析4H-SiC肖特基势垒二极管正向电流热电子发射理论的基础上,计算了肖特基势垒高度eff和串联电阻Ron.通过对反向电流各种输运机制的分析,提出了一种计算反向电流密度的理论模型.计算结果与实验数据的比较表明,隧道效应是反向电流的主要输运机理.
MISiC氢敏传感器物理模型及特性模拟北大核心CSCDCSTPCD
作者：徐静平韩弼黎沛涛钟德刚吴海平
《传感技术学报》 2004年1期《传感技术学报》 Issue 1,2004
关键词：金属-绝缘体-SiC(MISiC)肖特基势垒二极管气体传感器模拟
摘要：分析了金属-绝缘体-SiC(MISiC)肖特基势垒二极管(SBD)气体传感器的响应机理,将SBD热电子发射理论和氢吸附-解吸理论相结合,通过考虑势垒高度调制效应以及理想因子随外界条件的变化,建立了MISiC SBD气体传感器物理模型,模拟结果与实验十分吻合.采用此模型,分析了器件特性与绝缘层厚度的关系,并在灵敏度、可靠性和工作电流/电流分辨率诸因素之间其进行了优化设计,对于300 ℃左右的高温应用,确定出最佳绝缘层厚度为2～2.3 nm.
高压Ti／6H-SiC肖特基势垒二极管北大核心CSCD
作者：王姝睿刘忠立李国花于芳刘焕章
《半导体学报》 2001年8期《半导体学报》 Issue 8,2001
关键词：碳化硅肖特基势垒二极管6H-SiC
摘要：在N型6H-SiC外延片上，通过热蒸发，制作Ti／6H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)．通过化学气相淀积，进行同质外延生长，详细测量并分析了肖特基二极管的电学特性，该肖特基二极管具有较好的整流特性．反向击穿电压约为400V，室温下，反向电压VR＝200V时，反向漏电流JR低于1×10－4A／cm2．采用Ne离子注入形成非晶层，作为边缘终端，二极管的击穿电压增加到约为800V．
SiC功率器件辐照效应研究进展
作者：刘超铭霍明学王雅宁魏轶聃王天琦齐春华张延清马国亮刘国柱魏敬和
《电子与封装》 2022年6期《电子与封装》 Issue 6,2022
关键词：SiC功率器件肖特基势垒二极管结势垒肖特基二极管MOSFET空间辐射效应损伤机理
摘要：SiC功率器件是许多航天器用电子设备的重要组成部分,是保障深空探测任务顺利进行的前提和基础.在梳理SiC功率器件发展概况的同时,针对不同SiC功率器件(SiC SBD、SiC JBS、SiC MOSFET)在空间辐射环境下的性能退化规律进行了概述,重点分析了辐射环境下SiC功率器件的损伤机理,为SiC功率器件抗辐射技术的长远发展提供了参考.

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