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- 在多孔Al2O3膜板上制备取向碳纳米管CSTPCD
- 测量InSb器件PN结深度的有效方法--阳极氧化法CSTPCD摘要：对如何利用"阳极氧化法"显示化合物半导体InSb(锑化铟)PN结的剖面形貌进行了研究,该方法解决了InSb器件PN结深度的测量问题,可操作性强,对于该类半导体器件生产工艺的制定和实施具有一定的现实意义.
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- 通孔氧化铝模板的强脉冲电化学剥离研究北大核心CSCD
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- 丁二酸在Ti/TiO2 膜电极上的电化学合成北大核心CSCDCSTPCD摘要：在包含原料马来酸的硫酸溶液中,通过原位阳极氧化法制备了Ti/TiO2膜电极,然后采用极性转换技术在原溶液中电化学合成丁二酸. 采用XPS,XRD和SEM分析了膜电极上的元素组成、价态分布和氧化膜的晶相结构及表面形貌. 结果表明,阳极氧化膜层内只含有Ti和O两种元素,且Ti均为Ti4+;TiO2氧化膜是金红石相,表观呈现带孔的条纹形貌. 通过循环伏安、恒电位阶跃和恒电流电解技术研究了Ti/TiO2原位氧化膜电极的电化学性质,结果表…查看全部>>
- Ag改性TiO2纳米管阵列的光电化学性能研究北大核心CSCDCSTPCD