- 年份
- 2019（1）
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- 刊名
- 红外技术（2）
- 作者单位
- 云南大学（1）
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- 关键词
- InP/InGaAs探测器（2）
- ICPCVD（1）
- 伪装（1）
- 可见光（1）
- 氮化硅（1）
- 短波红外（1）
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- 作者
- 史衍丽（1）
- 向梦（1）
- 杨文运（1）
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- InP/InGaAs探测器氮化硅钝化膜的ICPCVD生长技术北大核心CSCDCSTPCD摘要：采用ICPCVD工艺对InP/InGaAs探测器进行SiNx薄膜钝化,讨论了不同气体比例、射频功率和反应压力对SiNx薄膜应力和致密性的影响.初步得到了低应力、良好致密性的SiNx薄膜沉积工艺.利用此工艺制作的InP/InGaAs探测器在偏压为-10 mV的暗电流比PECVD工艺制作的器件降低了一个数量级,为4.4×10-8 A.
- InP/InGaAs探测器对伪装目标成像研究北大核心CSCDCSTPCD摘要：高性能InP/InGaAs宽光谱探测器将前截止波长延伸到0.9μm之前,实现可见/短波双波段探测,大大丰富了探测目标的信息量,提高对目标的识别率.本文采用InP/InGaAs宽光谱探测器相机,通过设置一系列伪装实验,对比不同伪装目标的可见光波图像与短波红外图像的差异,重点探究短波红外对伪装目标的识别特性.通过实验结果发现:短波红外对一定厚度塑料、硅胶、皮肤具有穿透性;颜料、染料等同色不同材质的物体对短波红外具有选择性吸收,基于以上特性…查看全部>>