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ZnO薄膜及ZnO-TFT的性能研究OA北大核心CSCDCSTPCD

ZnO Films and Properties of ZnO-TFT

中文摘要

采用MOCVD法在SiNx绝缘薄膜上生长了ZnO薄膜,通过X射线衍射与光致发光光谱表征了ZnO薄膜的质量.其结果是:XRD特征峰半高全宽0.176°,光致发光仅有381.1nm的发光峰,展现了ZnO薄膜光电特性的优势.制备了底栅型ZnO薄膜晶体管,测试表明器件具有明显的场效应特性及饱和特性.

马仙梅;荆海;马凯;王龙彦;王中健

中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033中国科学院,研究生院,北京,100049北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130033中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130033

信息技术与安全科学

氧化锌薄膜晶体管氧化锌薄膜X射线衍射光致发光

《液晶与显示》 2009 (3)

393-395,3

国家自然科学基金(No.60576054,No.60576043,No.60576056,No.60786013)教育部新世纪优秀人才支持计划(No.05-0326)长春市科技局产业化项目(No.2006303)

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