SiN插入层对GaN外延膜应力和光学质量的影响OA北大核心CSCDCSTPCD
Influence of In-situ SiNx Interlayer on Strain Relief and Optical Character of GaN Epilayer Grown on 6H-SiC
研究了MOCVD系统中原位SiN插入层对GaN薄膜应力和光学性质的影响.采用SiN插入层后,GaN薄膜的裂纹数量大大减少,薄膜所承受的张应力得到了一定的释放.同时,GaN薄膜的缺陷密度降低一倍,晶体质量得到了极大的改善.研究表明,位错密度的降低在GaN薄膜中留存较大的残余应力,补偿了降温过程中所引入的张应力.同样,随着SiN插入层的应用,低温PL谱的半峰宽降低,薄膜光学质量提高.最后研究了PL谱发光峰与应力的关系,得到了一个-13.8的线性系数.
High quality GaN epilayers have been grown on 6H-SiC substrate by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) using an in situ porous SiNx interlayer.It was found that the SiNx interlayer played a very important role in strain relief and the enhancement of quality of GaN epilayer.Optical microscope studies revealed that the crack line density was reduced to 0.29 mm-1.Furthermore,the in-plane stress of 1.58 × 10-3 was measured by Raman spectra,representin…查看全部>>
宋世巍;梁红伟;申人升;柳阳;张克雄;夏晓川;杜国同
大连理工大学物理与光电工程学院,辽宁大连116024大连理工大学物理与光电工程学院,辽宁大连116024中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050大连理工大学物理与光电工程学院,辽宁大连116024大连理工大学物理与光电工程学院,辽宁大连116024大连理工大学物理与光电工程学院,辽宁大连116024大连理工大学物理与光电工程学院,辽宁大连116024
信息技术与安全科学
SiN应力弛豫插入层
SiN strain relief insertion layer
《发光学报》 2013 (8)
ZnO衬底上低温MOCVD生长GaN单晶薄膜关键科学问题研究
1017-1021,5
国家自然科学基金(60976010,61076045,11004020)国家863项目(2011AA03A102)中央高校项目(DUT12LK22,DUT11LK43,DUT11RC(3)45)高等学校博士学科点专项科研基金(20110041120045)资助项目
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