电磁脉冲应力下MOSFET器件退化机制研究OACSTPCD
Study on degradation mechanism of MOSFET devices under electromagnetic pulse stress
针对电力应用场景中电磁脉冲导致芯片性能异常退化、芯片内MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)等器件失效机理不清晰等问题,本研究采用幅值和宽度分别为8 V和100 ns的TLP(Transmission Line Pulse)脉冲施加至5 V NMOS器件栅氧层,测量了不同脉冲循环次数下器件输出特性曲线Id-Vd和转移特性曲线Id-Vg,通过分析不同TLP脉冲条件下跨导的变…查看全部>>
In response to issues such as abnormal degradation of chip performance caused by electromagnetic pulses in power application scenarios,and unclear failure mechanisms of devices such as MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors)within the chip,TLP(Transmission Line Pulse)pulses,with amplitude and width of 8 V and 100 ns,are applied into gate oxide layer of 5 V NMOS devices.The output characteristic curves Id-Vd and the transfer characteristic …查看全部>>
宋斌斌;王凯;鹿祥宾;单书珊;罗宗兰;栗磊;赫嘉楠
北京芯可鉴科技有限公司,北京 102200北京芯可鉴科技有限公司,北京 102200北京芯可鉴科技有限公司,北京 102200北京芯可鉴科技有限公司,北京 102200北京芯可鉴科技有限公司,北京 102200国网宁夏电力有限公司电力科学研究院,银川 750011国网宁夏电力有限公司电力科学研究院,银川 750011
电子信息工程
金属氧化物半导体场效应管电磁脉冲阈值电压跨导迁移率
MOSFETelectromagnetic pulsethreshold voltagetransconductancemobility
《集成电路与嵌入式系统》 2024 (5)
55-59,5
国家电网有限公司总部科技项目资助(基于失效风险评估的继电保护防存储单元异常以及加固技术研究:5100-202335010A-1-1-ZN).
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