不同栅压下Si-n型金属氧化物半导体场效应管总剂量效应的瞬态特性仿真OACSTPCD
Transient characteristics simulation of total ionizing dose effect on Si n-metal-oxide-semiconductor field effect transistor under different gate voltage
为了实现半导体器件在电离辐射环境中电学特性的动态退化过程,本文基于总剂量效应中陷阱对载流子的俘获/发射过程,建立了Si-n型金属氧化物半导体场效应管总剂量效应的瞬态特性数值模型.仿真了不同栅极偏压下,器件电学特性随累积总剂量的上升而造成的器件退化效应,并提取了Si/SiO2 界面和栅氧化层中陷阱电荷的变化.仿真发现,随着累计总剂量的上升,两个位置处陷阱电荷的数量都趋向于饱和.当辐照中栅极偏压为正时,器件阈值电压的退化幅度显著高于辐照偏压为负时的退…查看全部>>
张林;马林东;杜林;李艳波;徐先峰;黄鑫蓉
长安大学能源与电气工程学院, 西安 710064上海精密计量测试研究所, 上海 200031上海精密计量测试研究所, 上海 200031长安大学能源与电气工程学院, 西安 710064长安大学能源与电气工程学院, 西安 710064长安大学能源与电气工程学院, 西安 710064
辐照总剂量模型金属氧化物半导体场效应管
radiationtotal ionizing dosemodelmetal-oxide-semiconductor field effect transistor
《物理学报》 2023 (13)
230-236,7
国家重点研发计划(批准号:2020YFC2200300)、上海市自然科学基金(批准号:20ZR1435700)和陕西省重点研发计划(批准号:2021KW-13)资助的课题.Project supported by the National Key R&D Program of China(Grant No.2020YFC2200300),the Natural Science Foundation of Shanghai,China(Grant No.20ZR1435700),and the Key Research and Development Program of Shaanxi Province,China(Grant No.2021KW-13).
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