- 年份
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- 功率MOS器件单粒子栅穿效应的PSPICE模拟北大核心CSCDCSTPCD摘要：建立了功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模型和相应的模型参数提取方法,对VDMOS器件的单粒子栅穿效应的机理进行了模拟和分析,模拟结果与文献中的实验数据相符合,表明所建立的器件模型和模拟方法是可靠的.
- 高压功率MOS器件终端结构计算机模拟的物理模型
- 用252Cf裂片源研究单粒子烧毁和栅穿效应的方法北大核心CSCDCSTPCD