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一种基于数值模型的4H-SiC MESFET大信号建模方法
作者：曹全君张义门张玉明
发表期刊：电子科技 2005年8期
关键词：4H-SiCMESFET大信号模型射频
摘要：提出了一种基于数值模型的4H-SiC MESFET大信号建模方法.该方法基于4H-SiC MESFET的物理参数和结构参数,采用MEDICI的小信号正弦稳态分析法和高频小信号等效电路,模拟得到电流和电容的非线性特性,通过大信号等效电路,分析了建立4H-SiC MESFET大信号模型的途径.模拟与实验测试值的比较表明这种方法是可行的,可用于预先评估器件大信号工作时的非线性特性,指导4H-SiC MESFET的器件设计.
GaAs MESFET准二维动态大信号模型北大核心CSCDCSTPCD
作者：王静邓先灿
发表期刊：电子学报 2000年8期
关键词：大信号模型电荷控制法自升温效应准二维分析
摘要：本文运用电荷控制分析方法,提出了GaAs MESFET以电荷源为基本组成元件的大信号非线性动态模型.该模型在解决了电荷不守恒问题以及DC与RF电流不一致性问题的同时,结合器件的温度特性与自升温效应,实现了GaAs MESFET的准二维大信号动态分析.
电容式集能转换器的调理拓扑分析与优化北大核心CSCDCSTPCD
作者：于春辉张黎黄金鑫李庆民
发表期刊：电力系统自动化 2012年9期
关键词：电容式集能转换器智能电网调理拓扑参数优化大信号模型小扰动模型
摘要：集能转换器可使智能化变电站中的无线传感器实现能量自给,在未来智能电网中具有广阔的应用前景。文中首先分析了电容式集能转换器调理电路的主要影响因素及相应的解决方法。提出了调理电路的一种无源器件设计拓扑,并对其进行了系统建模,包括大信号模型和动态小扰动模型,进一步分析了调理电路的静态输出和动态工作特性。基于临界工作条件下的理论推导,建立了调理电路关键参数的优化方法,并获得各电气参数的优化取值。利用PSPICE仿真软件对调理电路拓扑进行…查看全部>>
基于DPS控制的双向全桥直流变换器的建模CSTPCD
作者：卢建华郝凯敏陈泽宇李飞
发表期刊：海军航空工程学院学报 2019年5期
关键词：广义状态空间平均法双向全桥直流变换器双移相控制大信号模型小信号模型
摘要：为方便双向全桥直流变换器的稳定性分析以及闭环控制器的设计,利用广义状态空间平均法对工作在双重移相控制方式下的双向全桥直流变换器进行了建模研究,得到了系统的大信号模型,通过线性化处理,得到系统小信号模型,并根据小信号模型进行了控制器设计.利用Matlab仿真验证所建立模型的准确性以及闭环系统的稳定性,仿真结果表明,小信号模型能准确跟随系统输出,且闭环系统符合GJB 181B要求.
基于大信号模型的多模块LCC级联变换器输出电压不均衡分析法北大核心CSCDCSTPCD
作者：伍梁孙晓玮赵钧陈国柱
发表期刊：电工技术学报 2020年24期
关键词：多模块LCC谐振变换器大信号模型谐振参数偏差输出电压不均衡
摘要：相对于单模块LCC变换器,输入并联输出串联(IPOS)多模块LCC级联变换器的拓扑具有模块化、元件电气应力小、输出纹波小、输出电压高、功率大等优势,但是各模块间谐振参数的偏差会引起模块输出电压不均衡.该文针对容性滤波的LCC谐振变换器,采用基波等效法计算出变换器电压电流的基波分量,利用广义状态空间平均法建立LCC变换器的状态方程,随后推导出单模块的LCC变换器大信号模型.在此基础上,推导出IPOS两模块LCC变换器的大信号模型,并以此…查看全部>>
基于回转器理论的电流模式控制型DC-DC变流器统一大信号模型北大核心CSCDCSTPCD
作者：杜韦静张军明钱照明
发表期刊：电工技术学报 2015年1期
关键词：大信号模型回转器理论电流模式控制降阶
摘要：随着新能源技术的大力发展,直流分布式系统以其独特的优势得到了越来越广泛的关注,逐渐成为业界的研究热点.虽然系统中每个模块都能够单独稳定运行,但由于模块之间复杂的相互作用,系统的稳定性特别是在大信号扰动下的暂态稳定性情况仍是令人困扰的一大难题,且目前该领域的理论研究成果相对缺乏.简单、有效、统一的大信号模型是进行大信号稳定性理论分析的基础.由于电流模式控制方法应用较为广泛,故本文基于回转器理论提出了一种适用于电流模式控制型DC-DC变流…查看全部>>
微波场板GaN HEMTs大信号特性及其模型研究北大核心CSCDCSTPCD
作者：汪昌思徐跃杭闻彰陈志凯赵晓冬徐锐敏
发表期刊：电子科技大学学报 2017年3期
关键词：场板氮化镓大信号模型自热效应热阻
摘要：针对栅、源两种场板氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMTs),提出了一种包含非线性热网络的电热大信号模型.该模型基于电热耦合理论,采用有限元电热仿真方法,提取了两种场板器件的热阻和热容参数,建立了与功耗相关的非线性热网络,并嵌入到改进的Angelov经验模型中;分析了场板结构对微波小信号特性和大信号负载阻抗的影响等.在片测试及仿真结果表明,针对两种场板GaN HEMTs器件,在0～40 GHz频带内,该模型能较精确地预测S参数、…查看全部>>
基于开关函数的脉冲功率负载大信号模型研究北大核心CSCDCSTPCD
作者：严鋆王金全陈颖黄克峰沈沉
发表期刊：电工技术学报 2020年16期
关键词：脉冲功率负载等效拓扑大信号模型独立微电网
摘要：以现代电子雷达为代表的脉冲功率负载包含了大量电力电子开关器件,工作周期通常为10?2～10?1s级,若接入独立微电网运行,将给系统的安全稳定带来极大挑战.为研究脉冲功率负载接入对独立微电网系统稳定性的影响,提出基于开关函数的脉冲功率负载大信号模型.该模型基于脉冲功率负载等效拓扑结构,以三相不可控整流器、Buck变换器和直流开关负载为核心,通过分析整流器、变换器和直流开关负载各开关器件的工作状态及相应开关函数,建立脉冲功率负载与外部电网…查看全部>>
基于电流型PWM整流的恒流调光器研究北大核心
作者：刘中豪王海滨胡晓雪林玉婷曹太强
发表期刊：电测与仪表 2017年19期
关键词：电流型PWM整流恒流调光器大信号模型
摘要：为了实现恒流调光器输出高品质的电能质量,文章分析了一种基于电流型PWM整流的助航灯光恒流调光器.首先分析了该恒流调光器工作原理和数学模型,其后通过大信号模型求解其电路方程的稳态解,设计了调光器的一种基于顺馈控制的解耦控制方法,可以有效的减少控制环路的稳态误差,实现恒流输出,并有效地降低网侧电流和输出电流的谐波含量,通过MATLAB/Simulink对系统进行了仿真验证,与传统的调光器相比其直流部分输出纹波小,网侧电流THD从2.71%…查看全部>>
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管大信号I-V特性模型CSTPCD
作者：常远程张义门张玉明曹全君王超
发表期刊：电子器件 2007年2期
关键词：器件模拟大信号模型AlGaN/GaN HEMTI-V特性
摘要：对非线性电流源Ids(Vgs,Vds)的准确描述是AlGaN/GaNHEMT大信号模型的最重要部分之一.Materka模型考虑了夹断电压与Vds的关系,其模型参数只有三个,但是Ids与Vgs的平方关系不符合实际,计算结果与测量数据有误差.我们在考虑了栅电压与漏电流的关系及不同栅压区漏电流随漏电压斜率改变的基础上,提出了改进的高电子迁移率晶体管(HEMT)的直流特性模型.采用这个模型,计算了AlGaN/GaNHEMT器件的大信号I-V特…查看全部>>

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