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脉冲激光沉积KTN薄膜动力学过程模拟北大核心CSCDCSTPCD
作者：陈中军张端明李智华张美军
发表期刊：华中科技大学学报（自然科学版） 2000年5期
关键词：PLD技术KTN薄膜等离子体
摘要：根据流体力学理论,对脉冲激光沉积KTN薄膜的动力学过程进行了模拟,讨论了激光沉积的KTN薄膜厚度分布随基片位置的变化规律.结果表明,等离子体在膨胀过程中会形成垂直靶表面的等离子体羽辉,当激光束的位置和方向不变时,KTN薄膜的厚度分布不均匀,呈现类高斯分布形状,薄膜的最大厚度与基片和靶材的距离成负二次方关系.
硅基LiNbO3薄膜的微结构研究北大核心CSCD
作者：卢焕明叶志镇黄靖云汪雷赵炳辉
发表期刊：无机材料学报 2005年4期
关键词：LiNbO3薄膜透射电子显微镜PLD技术
摘要：利用透射电子显微镜及X射线衍射,研究脉冲激光沉积技术(PLD)在Si(001)衬底上生长LiNbO3薄膜的微结构.结果表明,在600℃的衬底温度、30Pa的氧分压条件下,在硅片表面5nm厚的非晶氧化层上生长的薄膜,为c轴择优取向的单相LiNbO3晶体.本文还讨论了获得c轴择优取向LiNbO3薄膜的生长机理.
脉冲激光沉积Ti50Ni36Cu14薄膜的成分均匀性CSCD
作者：李亚东骆苏华高伟健
发表期刊：材料科学与工程学报 2005年1期
关键词：PLD技术Ti50Ni36Cu14合金薄膜成分均匀性
摘要：采用脉冲激光沉积(PLD)技术制备了Ti50Ni36Cu14合金薄膜.研究表明,PLD合金薄膜的成分与沉积距离(基片/靶间距)、激光脉冲频率有较大关系.当沉积距离(D)为20～30mm时,可获得成分均匀稳定的合金薄膜;当其它条件相同,激光脉冲频率(F)为5Hz时,合金薄膜与靶成分更为接近.采用PLD技术制备的Ti50Ni36Cu14合金薄膜成分均匀性较好,同时与磁控溅射薄膜相比PLD薄膜的平均成分更加接近靶体.采用本工艺获得的T…查看全部>>
KTN薄膜脉冲激光沉积过程的机理研究北大核心CSCD
作者：李智华张端明陈中军黄明涛关丽钟志成李国栋
发表期刊：物理学报 2001年10期
关键词：PLD技术烧蚀率等离子体KTN薄膜
摘要：根据能量平衡原理,导出了脉冲激光作用靶材的烧蚀率公式,并根据流体动力学理论,得出了脉冲激光产生的等离子体的空间运动特性方程,将靶材烧蚀率公式与等离子体空间动力学方程结合起来,根据实验研究了不同激光功率密度和波长对KTa0.65Nb0.35O3(KTN)薄膜沉积特性的影响,得到了一些有价值的结果,并对结果进行了详细的讨论,理论计算结果与实验大体符合.
PLD法制备高取向透明KTa0.65Nb0.35O3/SiO2(100)薄膜性能研究北大核心CSCD
作者：王晓东彭晓峰张端明
发表期刊：无机材料学报 2005年5期
关键词：PLD技术KTN薄膜石英单晶
摘要：用PLD技术结合后期退火,在透明石英单晶(100)上制备了高取向的纯钙钛矿相KTN薄膜.对薄膜的光学、电学性能分析表明,薄膜铁电居里温度为15℃,矫顽场7.32kV/cm,剩余极化强度9.25μC/cm2,折射率在波长1.2μm处为1.776,厚度968nm,沉积速率约为0.027nm/脉冲.I-V特性表明,低电场强度下,I-V服从欧姆定律,高电场强度下,I-V服从平方关系,可用空间电荷限制电流(SCLC)模型解释.薄膜漏电流在0～5…查看全部>>
非晶态SiO_2过渡层上高C轴取向LiNbO_3薄膜的PLD生长北大核心CSCD
作者：何军辉朱骏毛翔宇陈小兵叶志镇
发表期刊：四川大学学报：自然科学版 2005年S1期
关键词：LiNbO_3薄膜c轴取向光波导PLD技术硅基
摘要：利用脉冲激光沉积(PLD)技术在单晶硅衬底的非晶态Si O2过渡层上外延生长了具有优良结晶品质和高度c轴取向性的Li NbO3光波导薄膜.利用X射线衍射、高分辨电镜和原子力显微镜等手段对Li NbO3薄膜的结晶品质和c轴取向性等进行了系统的分析,确定了薄膜c轴外延生长的最佳沉积参数.非晶态Si O2过渡层上的Li NbO3薄膜由尺度约为150×150nm的四方柱状c轴取向的单晶畴紧密排列而成,并且具有陡峭的界面结构.此外,对于Li N…查看全部>>