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a-C:F薄膜的工艺及热稳定性研究CSTPCD
作者：李幼真刘雄飞肖剑荣张云芳
发表期刊：真空电子技术 2004年3期
关键词：PECVD沉积速率a-C:F薄膜表面形貌
摘要：以CF4和CH4为源气体,用PECVD法制备了不同沉积条件下的a-C:F薄膜,测量了薄膜的厚度,研究了薄膜沉积速率和沉积工艺的关系,用傅立叶变换红外谱(FTIR)分析了薄膜的化学键结构,用扫描电镜和原子力显微镜分析了薄膜表面形貌,对薄膜在真空中进行了退火,研究了薄膜的热稳定性.实验表明,沉积速率在5～8 nm/min之间,薄膜表面平整、致密,在300℃内有较好的热稳定性.
射频功率对a-C:F薄膜沉积速率和结构的影响北大核心CSCDCSTPCD
作者：刘雄飞高金定周昕肖剑荣张云芳
发表期刊：电子元件与材料 2004年10期
关键词：电子技术射频功率a-C:F薄膜沉积速率结构
摘要：用射频等离子体增强型化学气相沉积法制备了a-C:F薄膜,并研究了射频功率对a-C:F薄膜沉积速率和结构的影响.用椭偏仪测量了薄膜的厚度,并用红外谱(FITR)结合Raman谱研究了其结构的变化.结果表明:薄膜沉积速率在10～14 nm/min之间,主要含有CFx和C=C键.随射频功率的升高,沉积速率先增大后减小,CF3的含量迅速减小,CF和CF2的含量略有增加,薄膜中r(F/C)呈下降的趋势.在较高功率下沉积的薄膜中出现了由sp2和sp3混合微晶结构.
氮掺杂对a-C:F薄膜表面形貌和键结构的影响北大核心CSCD
作者：刘雄飞周昕高金定
发表期刊：电子元件与材料 2005年6期
关键词：无机非金属材料a-C:F薄膜氮掺杂表面形貌结构
摘要：用射频等离子体增强化学气相沉积设备制备了氮掺杂a-C:F(氟化非晶碳)薄膜,研究了不同氮源流量比对薄膜表面形貌和键结构的影响.AFM观察结果发现:随氮流量的增加,薄膜表面粗糙度降低,颗粒粒径变小,薄膜更加均匀致密.Raman光谱分析表明:氮源流量的增加会引起薄膜内sp2键态含量增加,即芳香环式结构比例上升,当r(N2/(CF4+CH4+N2))为68%时,ID/IG由未掺N2时的1.591增至4.847,薄膜的热稳定性增强.
低介电常数氟化非晶碳薄膜的制备与检测北大核心CSCDCSTPCD
作者：高金定刘雄飞肖剑荣
发表期刊：电子元件与材料 2008年4期
关键词：半导体技术a-C:F薄膜综述制备检测性能
摘要：氟化非晶碳(a-C:F)薄膜具有介电常数低、热稳定性好等优点,普遍认为是下一代集成电路互联层绝缘介质的最佳候选材料之一.结合研究实践,综述了国内外低介电常数氟化非晶碳薄膜主要的制备技术,工艺参数及性能检测技术,指出了介电常数和热稳定性的矛盾是阻碍该薄膜实用化的主要原因.