期刊信息/Journal information
：中国电子学会和中国科学院半导体研究所
：王守武
：月刊
：1674-4926
：11-5781/TN
：jos@semi.ac.cn
：010-82304277
：100083
：北京912信箱
半导体学报（英文版）/Journal Journal of Semiconductors北大核心CSCDCSTPCDEI
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家...展开全部>>
收录年代
18.69％ PCE from organic solar cells
Ke Jin;Zuo Xiao;Liming Ding19-20
Efficient p-type doping in ultra-wide band-gap nitrides using non-equilibrium doping method
Jianbai Xia13-14
GIWAXS:A powerful tool for perovskite photovoltaics
Chenyue Wang;Chuantian Zuo;Qi Chen;Liming Ding1-3
Low-bandgap Sn-Pb perovskite solar cells
Rui He;Chuantian Zuo;Shengqiang Ren;Dewei Zhao;Liming Ding5-8
Dithieno[3',2':3,4
Xiongfeng Li;Jingui Xu;Zuo Xiao;Xingzhu Wang;Bin Zhang;Liming Ding15-18
A review of manufacturing technologies for silicon carbide superjunction devices
Run Tian;Chao Ma;Jingmin Wu;Zhiyu Guo;Xiang Yang;Zhongchao Fan21-26
Modeling the photon counting and photoelectron counting characteristics of quanta image sensors
Bowen Liu;Jiangtao Xu27-36
Heavily doped silicon:A potential replacement of conventional plasmonic metals
Omar Faruque;Rabiul Al Mahmud;Rakibul Hasan Sagor37-42
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