侧向外延生长GaN的结构特性OA北大核心CSCD
Structural Properties of Laterally Overgrown GaN
研究了在刻有图形的GaN"衬底”上用HVPE方法侧向外延生长(ELO)GaN的结构特性.在SiO2衬底上侧向外延生长GaN已经实现,并得到了平面的ELO GaN薄膜.采用扫描电子显微镜、透射电微镜和原子力显微镜技术研究了这种ELO GaN材料的结构和表面形貌.原子力显微镜图像表明:在ELO范围中的4μm2面积上不存在明显的阶状形貌.透射电子显微镜的观测表明在ELO范围内位错密度很低.在接合的界面上没观察到有空隙存在.但观测到晶格的弯曲高达3.3°…查看全部>>
张荣;顾书林;修向前;卢殿清;沈波;施毅;郑有炓;KUAN;T;S
南京大学物理系,南京大学物理系,南京大学物理系,南京大学物理系,南京大学物理系,南京大学物理系,南京大学物理系,Department of Physics State University of New York at Albany
信息技术与安全科学
GaN侧向外延生长氢化汽相外延
《发光学报》 2001 (z1)
53-56,4
国家"863”基金资助项目
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