DMOS阈值电压二维模型OA北大核心CSCDCSTPCD
2D Threshold Voltage Model of DMOS
提出了DMOS器件的二维阈值电压模型,分析了耗尽层宽度的变化,并得到了模型的数学表达式.模型的解析解与实验结果和二维仿真器MEDICI的数值解相吻合.给出了沟道表面扩散浓度在2.0×1016～10.0×1016cm-3范围内DMOS器件的阈值电压简明计算式.该模型的提出解决了以往所用的DMOS阈值电压模型计算很不准确的问题.
李泽宏;张波;李肇基;方健;杨舰
电子科技大学微电子研究所,成都,610054电子科技大学微电子研究所,成都,610054电子科技大学微电子研究所,成都,610054电子科技大学微电子研究所,成都,610054电子科技大学微电子研究所,成都,610054
电子信息工程
double-diffusion MOSFET阈值电压二维阈值电压模型
《半导体学报》 2004 (6)
715-719,5
国家自然科学基金资助项目(批准号:60076030,60276040)
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