超薄基区SiGe HBT电流传输模型OA北大核心CSCDCSTPCD
Base Transport Model for Ultra-Thin-Base SiGe HBT
从玻尔兹曼方程出发，分析了SiGe HBT超薄基区中载流子温度，扩散系数等参量的变化，建立了不同于常规基区宽度的新的超薄基区SiGe HBT电流传输模型。
李垚;孔德义;魏敬和;许居衍
东南大学无锡应用科学与工程研究院 无锡 214071东南大学无锡应用科学与工程研究院 无锡 214071东南大学无锡应用科学与工程研究院 无锡 214071东南大学无锡应用科学与工程研究院 无锡 214071
HBT电流传输SiGe
《半导体学报》 2000 (1)
97-101,5
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