溅射气压对硼掺杂ZnO薄膜光电特性的影响OA北大核心CSCDCSTPCD
Effect of Sputtering Pressure on Optical and Electrical Properties of Boron-doped ZnO Thin Films
采用脉冲磁控溅射系统在玻璃衬底上制备了ZnO∶B薄膜,利用霍尔测试仪和紫外-可见光-近红外分光光度计及逐点无约束最优化法,研究了溅射气压(0.1 ~3 Pa)对ZnO薄膜的光学和电学特性的影响.结果表明:ZnO∶B薄膜在可见光区域内的平均透光率高于80%,近红外波段的透过率及薄膜的电阻率与溅射气压成正比;折射率n随溅射气压降低呈下降趋势,其值介于1.92 ~2.09之间;在较低的溅射气压下(PAr=0.1 Pa)获得的薄膜电阻率最小(3.7×10…查看全部>>
化麒麟;杨培志;杨雯;付蕊;邓双;彭柳军
云南师范大学太阳能研究所,可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,昆明650092云南师范大学太阳能研究所,可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,昆明650092云南师范大学太阳能研究所,可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,昆明650092云南师范大学太阳能研究所,可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,昆明650092云南师范大学太阳能研究所,可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,昆明650092云南师范大学太阳能研究所,可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,昆明650092
通用工业技术
磁控溅射ZnO∶B薄膜溅射气压透过率电阻率折射率
《人工晶体学报》 2013 (5)
833-836,4
国家自然科学基金云南联合基金(U1037604)资助课题
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