基于硅过渡层纳米金刚石膜/GaN复合膜系的制备OA北大核心CSCDCSTPCD
Preparation of nano-diamond films on GaN with a Si buffer layer
本文研发了一种简便有效的在GaN半导体衬底上直接生长纳米金刚石膜的方法。研究发现,直接将GaN衬底暴露于氢等离子体中5 min即发生分解,且随着温度从560℃升高至680℃,这种分解反应愈加剧烈,很难在GaN衬底上直接形成结合力良好的纳米金刚石膜。通过在GaN衬底上镀制几纳米厚的硅过渡层,在富氢金刚石生长环境下,抑制了GaN衬底的分解,同时在GaN衬底上沉积了约2μm厚的纳米金刚石膜。硅过渡层厚度是决定纳米金刚石与GaN衬底结合力的主要因素。当硅…查看全部>>
Gallium nitride ( GaN) has been widely used in electronic and optoelectronic devices because of its unique electrical properties. However, its low thermal conductivity and the high thermal boundary resistance at the interface between GaN and sub-strates such as Si and Al2 O3 prevent efficient heat dissipation from the heated regions, which limits the further development of GaN-based high power devices. Diamond, with the highest thermal conductivity, has been…查看全部>>
刘金龙;田寒梅;陈良贤;魏俊俊;黑立富;李成明
北京科技大学 新材料技术研究院，北京 100083北京科技大学 新材料技术研究院，北京 100083北京科技大学 新材料技术研究院，北京 100083北京科技大学 新材料技术研究院，北京 100083北京科技大学 新材料技术研究院，北京 100083北京科技大学 新材料技术研究院，北京 100083
通用工业技术
氮化镓硅过渡层纳米金刚石膜直接生长分解
GaNSi buffer layerNano-diamond filmDirect growthDecomposition
《新型炭材料》 2016 (5)
氢致金刚石表面载流子输运沟道形成与稳定机制研究
518-524,7
国家自然科学基金(51402013,51272024)中国博士后科学基金(2014M550022)中央高校基本科研业务经费(FRF-TP-15-052A2).@@@@National Natural Science Foundation of China (51402013,51272024) China Postdoctoral Science Foundation (2014M550022)Fundamental Research Funds for the Central Universities (FRF-TP-15-052A2)
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