微波GaN器件温度效应建模OA北大核心CSTPCD
通过对GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在不同温度下直流特性变化的现象与机理分析,本文基于EEHEMT等效电路模型,针对GaN HEMT漏源电流I_(ds)提出了一种温度效应模型.该模型考虑到温度对GaN HEMT阈值电压、膝点电压、饱和电流等方面的影响,对原始EEHEMT模型中的I_(ds)公式进行修改,将I_(ds)公式中的关键参数与温度建立起适当的函数关系式.修改后的模型能够准确反映GaN HEMT在不同温度下的电性能变化趋势.为了进一步…More>>
王帅;葛晨;徐祖银;成爱强;陈敦军
南京大学电子科学与工程学院,南京210033 南京电子器件研究所,南京210016南京电子器件研究所,南京210016南京电子器件研究所,南京210016南京电子器件研究所,南京210016南京大学电子科学与工程学院,南京210033
电子信息工程
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管模型直流特性
《物理学报》 2024 (17)
P.240-247,8
国家重点研发计划(批准号:2022YFF0707800,2022YFF0707801)江苏省重点研发计划产业前瞻与关键核心技术(批准号:BE2022070,BE2022070-2)资助的课题.