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- 分子束外延生长InGaAs/GaAs异质结及其在独特场效应晶体管中的应用CSCD
- 一种新颖的应变Si沟道 pMOSFET制作技术北大核心CSCDCSTPCD
- Ku波段源极调谐HFET MMIC VCO北大核心CSCD
- 基于MOCVD再生长n+ GaN欧姆接触工艺fT/fmax＞150/210 GHz的AlGaN/GaN HFETs器件研究北大核心CSCDCSTPCDAbstract：基于SiC衬底AlGaN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(fT)和最大振荡频率(fmax)的Al-GaN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于MOCVD外延n+ GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm.此外,采用自对准工艺制备了60 nm T型栅.由于器件尺寸的缩小,在Vgs=2V下,器件最大饱和电流(Ids)达到2.0 A/mm,该值为AlGaN/GaN HFETs器件直…查看全部>>
- P型GaN器件欧姆接触的研究进展北大核心CSCDCSTPCD
- fT为350GHz的InAlN/GaN HFET高频器件研究北大核心CSCDCSTPCDAbstract：采用再生长n+ GaN非合金欧姆接触工艺研制了具有高电流增益截止频率(fT)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs),器件尺寸得到有效缩小,源漏间距减小至600 nm.通过优化干法刻蚀和n+GaN外延工艺,欧姆接触总电阻值达到0.16Ω·mm,该值为目前金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法制备的最低值.采用自对准电子束曝光工艺实现34 nm直栅.器件尺寸的缩小以及欧姆接触的改善,器件电学特性,尤其是射频特性得到大幅…查看全部>>