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- C波段3.5W/mm,PAE>40%的InGaP/GaAs HBT功率管北大核心CSCDCSTPCD
- 发射极空气桥InGaP/GaAs HBT的DC和RF特性分析CSTPCD
- 两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析北大核心CSCDCSTPCD摘要:InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料结构的大尺寸(发射极面积100μm×100μm)双台面InGaP/GaAs HBT器件,对其直流特性进行了测试和分析,两种外延结构的器件共射直流增益分别为50和350,模拟得其最大截止频率分别为8和10GHz.
- 高功率附加效率的InGaP/GaAs功率HBT北大核心CSCD
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